据TheElec，三星电子最早将在今年3月停止在华城园区12号生产线制造2D NAND闪存，该企业的2D NAND闪存时代也将随之正式结束。三星电子早在2013年就实现了3D NAND (V-NAND) 的量产，不过三星还是保留了小规模的2D NAND产能以应对特殊利基市场的需求。华城12号生产线未来将服务于1c nm DRAM内存制造，负责后端的金属布线和表面处理工艺。（财联社）
第十七条 仲裁机构终止的，依法办理注销登记。
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第五十七条 违反本法第十一条至十三条的规定，扰乱实名注册等制度的，由公安机关没收违法所得，并处违法所得一倍以上十倍以下罚款，没有违法所得或者违法所得不足二万元的，处二十万元以下罚款；情节严重的，并处十五日以下拘留。
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